芯片导致对我国进入21世纪最重要的产业半导体的问题。华为断芯，导致了华为手机产业在全球销量急速下降。从中咱们可以看出芯片的缺少的大问题。
在过去的几个月里，其中一些问题得到了部分解决，但还没有弥合最大的差距。但是也在慢慢的缩短这个距离。让我们一起看看吧
突破设备供应链
限制我国获得半导体的主要途径是设备。虽然有一个三边协议来阻止我们购买 DUV 光刻机，但没有提到这有多远。DUV 是一种非常广泛的技术。
尼康于 1988 年发布了第一款使用 KrF 光刻技术的 DUV 工具，名为 NSR-1505EX。它最初的分辨率为 500 纳米，但随着时间的推移，它升级到250 纳米，叠加 100 纳米。
在瑞利准则方程（CD = k1 ? λ / NA）中，CD 是临界尺寸，即可能的最小特征尺寸。λ 是所用光的波长。NA 是光学器件的数值孔径。
自对准四边形图案化 (SAQP) 通常被认为是延长 DUV 光刻一代最经济的方式。虽然有更复杂的光刻方案，但将坚持目前经济上可行的方案。但是，台积电和我国的中芯国际已经实现了 7nm 工艺技术。
使用 ArFi 光刻技术（NA=1.35，λ=193nm）的 SAQP 可以在 k1 为 0.391 时产生这种特征尺寸。如果目标是阻止我国实现5nm制程技术，那么ArFi的出货就必须被阻止。ASML 和 Nikon 可以制造最小金属间距为 28nm 的 ArFi 光刻工具。虽然这不会像 EUV 那样具有成本效益，但对于我国来说，并非无法实现。
如果目标是阻止我国实现 7nm 工艺技术的大批量生产，那么必须阻止所有能够在台积电 7nm 级工艺技术上使用的最小金属间距为 40nm 的工具。新的限制将包括 ArFi 光刻，但它们还需要进一步扩展。
使用干式氟化氩 ArF 光刻（NA=0.93，λ=193nm）的 SAQP 可以产生 k1 为 0.385 的这种特征尺寸。同样，这不会像英特尔、台积电和中芯国际的 ArFi DUV“7nm”那样经济，它是可以实现的。
如果是阻止我国扩大其高容量的 14 纳米工艺技术，那么必须阻止所有可以实现节点上使用的最小金属间距 64 纳米的工具，例如台积电的 16 纳米和 12 纳米以及三星的 14 纳米。但是这已经被解决了。
SAQP 使用最先进的 KrF 光刻技术（NA=0.93，λ=248nm），可以产生 k1 为 0.48 的这种特征尺寸。SAQP 使用中档 KrF 光刻技术（NA=0.8，λ=248nm），可以创建 k1 为 0.413 的特征尺寸。使用 ASML、尼康或佳能的工具可以非常轻松地实现这些目标。
在光刻中，重叠是指制造过程中不同层之间的对准精度。它是一层与另一层对齐的位置精度。我们的每个示例都使用了自对准四边形图案化 (SAQP)，这意味着需要对准 4 层光刻。因此，覆盖控制至关重要。
ASML 最先进的 EUV 步进器的叠加精度为 1.1 纳米。之前的版本 3400C 是他们在 2021 年出货的主要 EUV 工具，其叠加精度为 1.5 纳米。这比 ASML 最先进的 DUV 工具 2100i 还差。
突破化学品供应链
新出口管制的下一个缺口是化学品供应链，即光刻胶。我们在这里深入研究了光刻胶，但总结是光刻工具需要光刻胶来在晶圆上图案化特征。
世界上绝大部分的光刻胶是由少数日本公司生产的，杜邦公司是排名第四的竞争对手。在许多情况下，光刻胶化学成分涉及与最终客户就光刻类型、工艺节点、特征类型和特征尺寸进行大量微调。此外，用于沉积、显影和烘烤光刻胶的设备也完全是日本的。
但是仅中芯国际就有一百多种 DUV 工具。这些可以重新组织和转移以制造不同的工艺节点。仅凭现有的 DUV 工具，中芯国际就可以实现每月超过 100,000 片晶圆的 7nm 代工产能。这高于三星和英特尔先进节点（<=7nm）代工产能的总和。
如果华虹、上海华力、长江存储、长鑫存储、GTA Semi、Nexchip、延东、Nexperia、CR Micro、Sien、Fulsemi、SEMC、NSEMI 等中资企业的所有 DUV 工具都被中芯国际重新占用，他们可以建设的 7nm 产能将甚至远超台积电的7nm。
最后突破组件供应链
最后导致了最后的差距的是即组件供应链。DUV 工具必须由 ASML、尼康和佳能定期更换零件进行维修。
不过我国的光刻冠军SMEE现在得到了突破，SMEE 已经交付了可用的 I-Line 光刻工具，即他的首台金凸块封测光刻机（SMEE）正式交付，他们的氩氟化物 DUV 光刻技术也在为最前端的晶圆制造做好生产准备。
这意味着我们正在赶上芯片的道路。蔡司等 ASML 光刻供应链中的许多公司继续通过合资企业和技术转让也让我们的芯片技术慢慢成熟。我国将能够重新配置现有设备，加快国产光刻机的发展。到时华为的麒麟芯也不再受阻了。